13、单项选择题 下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的()
A、它与试件上的磁通密度有关 B、它与缺陷的高度有关 C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大 D、以上都对
本题答案:D本题解析:暂无解析
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