下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述()是正确的

16、单项选择题  下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述()是正确的

A、磁化强度为一定时,缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷,其漏磁通与缺陷高度无关
B、缺陷离试件表面越近,缺陷漏磁通越小
C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时,缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响
D、交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小
E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时,缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响
F、c,d和e都对




本题 答案:F
本题解析:暂无解析

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